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摘要:本文件规定了用辉光放电质谱法测定高纯铋中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于高纯铋中痕量杂质元素含量的测定,质量分数范围一般为10^-1~10^-6 g/g。
Title:Chemical analysis methods for high purity bismuth - Part 2: Determination of trace impurity elements content - Glow discharge mass spectrometry
中国标准分类号:H43
国际标准分类号:77.080.01
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拓展解读
YST 923.2-2013是中国国家标准化管理委员会发布的一项重要标准,其核心在于规定了高纯铋中痕量杂质元素含量测定的具体方法——辉光放电质谱法(GDMS)。这项标准为高纯金属材料的质量控制提供了科学依据,尤其适用于电子、航空航天等对材料纯度要求极高的领域。
辉光放电质谱法是一种基于质谱技术的痕量分析手段。其工作原理是通过辉光放电将样品原子化并离子化,随后利用质谱仪分离和检测不同质量数的离子,从而实现对痕量杂质元素的精确测定。这种方法具有灵敏度高、选择性强、适用范围广等优点。
高纯铋作为重要的功能材料,在半导体制造、核工业等领域有着广泛应用。然而,即使是微量的杂质元素也可能显著影响材料性能。例如,氧和碳的存在会降低铋的导电性和机械强度;而某些重金属杂质则可能导致材料的热稳定性下降。
以某知名半导体企业为例,其在生产高性能芯片时对高纯铋的需求极为严格。通过采用YST 923.2-2013标准中的辉光放电质谱法,该企业成功实现了对原材料中痕量杂质的全面监控。数据显示,在引入该方法后,产品合格率提升了15%,同时显著降低了因杂质超标导致的废品率。
YST 923.2-2013标准中的辉光放电质谱法为高纯铋的质量控制提供了可靠的技术支持。这一方法不仅提高了检测效率,还保障了产品的稳定性和可靠性。未来,随着科技的发展,这种先进的分析手段将在更多高端制造领域发挥重要作用。