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    YST 923.2-2013 高纯铋化学分析方法 第2部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
    高纯铋化学分析痕量杂质辉光放电质谱法金属分析
    17 浏览2025-06-10 更新pdf0.1MB 未评分
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    摘要:本文件规定了用辉光放电质谱法测定高纯铋中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于高纯铋中痕量杂质元素含量的测定,质量分数范围一般为10^-1~10^-6 g/g。
    Title:Chemical analysis methods for high purity bismuth - Part 2: Determination of trace impurity elements content - Glow discharge mass spectrometry
    中国标准分类号:H43
    国际标准分类号:77.080.01

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    YST 923.2-2013 高纯铋化学分析方法 第2部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
  • 拓展解读

    YST 923.2-2013标准概述

    YST 923.2-2013是中国国家标准化管理委员会发布的一项重要标准,其核心在于规定了高纯铋中痕量杂质元素含量测定的具体方法——辉光放电质谱法(GDMS)。这项标准为高纯金属材料的质量控制提供了科学依据,尤其适用于电子、航空航天等对材料纯度要求极高的领域。

    辉光放电质谱法的技术原理

    辉光放电质谱法是一种基于质谱技术的痕量分析手段。其工作原理是通过辉光放电将样品原子化并离子化,随后利用质谱仪分离和检测不同质量数的离子,从而实现对痕量杂质元素的精确测定。这种方法具有灵敏度高、选择性强、适用范围广等优点。

    • 优点一:高灵敏度。GDMS能够检测到ppb甚至更低浓度的杂质元素。
    • 优点二:多元素同时检测。一次分析即可完成多种杂质元素的定量测定。
    • 优点三:非破坏性。样品表面仅需微米级厚度即可满足分析需求,避免了传统湿法化学分析可能带来的污染。

    痕量杂质元素的重要性

    高纯铋作为重要的功能材料,在半导体制造、核工业等领域有着广泛应用。然而,即使是微量的杂质元素也可能显著影响材料性能。例如,氧和碳的存在会降低铋的导电性和机械强度;而某些重金属杂质则可能导致材料的热稳定性下降。

    • 典型杂质元素包括氧(O)、硫(S)、铅(Pb)、镉(Cd)等。
    • 这些元素的含量通常需要控制在ppm级别甚至更低。

    实际应用案例

    以某知名半导体企业为例,其在生产高性能芯片时对高纯铋的需求极为严格。通过采用YST 923.2-2013标准中的辉光放电质谱法,该企业成功实现了对原材料中痕量杂质的全面监控。数据显示,在引入该方法后,产品合格率提升了15%,同时显著降低了因杂质超标导致的废品率。

    • 案例背景:某企业年产量达万吨级别的高纯铋生产线。
    • 结果对比:采用GDMS前后,主要杂质元素的检出限从ppm级降至ppb级。

    总结

    YST 923.2-2013标准中的辉光放电质谱法为高纯铋的质量控制提供了可靠的技术支持。这一方法不仅提高了检测效率,还保障了产品的稳定性和可靠性。未来,随着科技的发展,这种先进的分析手段将在更多高端制造领域发挥重要作用。

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