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摘要:本文件规定了用硅钼蓝吸光光度法测定高纯铟中硅含量的方法。本文件适用于高纯铟材料中微量硅的定量分析,测定范围通常为0.1μg/g至100μg/g。
Title:Determination of Silicon Content in High Purity Indium (Silicomolybdenum Blue Spectrophotometric Method)
中国标准分类号:H42
国际标准分类号:71.040.30
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拓展解读
以下是关于“GB 2594.4-1981 高纯铟中硅量的测定(硅钼蓝吸光光度法)”的主题常见问题解答。
回答:GB 2594.4-1981 是中国国家标准,用于测定高纯铟中的硅含量。该方法通过硅钼蓝吸光光度法,能够准确检测出高纯铟材料中微量硅的存在,为材料质量控制提供科学依据。
回答:硅钼蓝吸光光度法的核心原理是利用硅与钼酸铵在酸性条件下反应生成硅钼杂多酸,随后被还原剂还原成硅钼蓝化合物。这种化合物具有特定的吸收波长,在分光光度计上测量其吸光度即可定量分析硅的含量。
回答:为了提高测量的准确性,需要注意以下几点:
回答:常用的还原剂包括抗坏血酸(维生素C)、盐酸羟胺等。这些还原剂能够将硅钼杂多酸还原为硅钼蓝,从而便于后续的吸光光度测定。
回答:吸光度偏低可能由以下原因引起:
回答:虽然还有其他方法可用于测定硅含量,如ICP-AES(电感耦合等离子体原子发射光谱法),但硅钼蓝吸光光度法因其成本低廉、操作简便,特别适用于高纯铟中硅的微量测定。因此,在高纯铟检测领域,该方法仍具有不可替代的优势。
回答:根据GB 2594.4-1981 标准,需结合样品的具体技术指标要求,判断检测结果是否满足规定限值。通常情况下,结果应低于某一阈值(具体数值需参考相关文件)。如果超出限值,则需要进一步排查原因并重新检测。
回答:高纯铟广泛应用于半导体、光学器件等领域,而硅作为常见的杂质元素,会显著影响材料的导电性和光学性能。因此,控制硅含量是确保高纯铟材料质量和性能的关键。