TCIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法

TCIE 126-2021《磁随机存储芯片测试方法》相较于旧版标准，在多项技术细节上进行了更新与优化。其中，关于“数据保持能力测试”的变化尤为显著，这一部分直接关系到磁随机存储器(MRAM)在实际应用中的可靠性和稳定性评估。

在新版标准中，“数据保持能力测试”增加了对温度环境下的数据保持时间要求，并且明确了测试过程中电压、电流控制的具体参数范围。例如，对于工作温度范围内的测试条件，规定了最低保持时间为10年；而在极端温度条件下（如-40℃至150℃），需要验证的数据保持时间也从原来的5年延长到了10年。此外，还特别强调了在不同温度区间内应采取相应的补偿措施来确保测量精度。

为了正确实施该测试项目，首先需要准备符合规格的恒温箱设备，能够精确调节并维持所需温度环境。其次，在进行测试前，要保证待测样品已经完成了初始化操作，即所有存储单元都被写入相同的状态（可以是全‘0’或者全‘1’）。然后按照设定好的测试计划逐步改变温度值，同时记录下每个状态下数据是否发生改变的时间点。最后根据收集到的数据计算出实际的数据保持时间，并与标准中的限值进行对比分析，从而判断产品是否满足要求。

通过以上方式执行“数据保持能力测试”，不仅有助于生产企业更好地掌握其产品的性能指标，也为用户提供了更加可靠的产品质量保证。这种改进体现了新版标准对于提升磁随机存储器整体品质水平的关注重点。