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摘要:本文件规定了使用高分辨X射线衍射法测定碳化硅衬底基平面弯曲的方法,包括测试设备要求、样品制备、测试步骤和数据分析。本文件适用于碳化硅单晶衬底的基平面弯曲特性评估。
Title:Determination of Basal Plane Bending of Silicon Carbide Substrates by High-Resolution X-ray Diffraction
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
在执行TCASAS 014-2021标准过程中,测定碳化硅衬底基平面弯曲时,高分辨X射线衍射法具有显著优势。为提高灵活性并优化流程,可从以下几方面入手:首先,在样品制备阶段,通过调整样品夹持方式和位置,确保测量一致性,减少人为误差。其次,利用自动化数据采集系统,提升测量效率与精度。再者,对仪器参数进行优化设置,如选择合适的X射线波长和扫描步长,以适应不同厚度及晶向的样品。此外,建立数据库记录不同批次样品的数据特征,便于后续比对分析。通过引入统计学方法处理数据,可以更准确地评估基平面弯曲程度。最后,定期校准设备,保持其最佳工作状态,从而有效降低长期运营成本。这些措施不仅能够增强测量结果的可靠性,还能显著提高工作效率。