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摘要:本文件规定了功率半导体器件在稳态湿热环境下的高压偏置试验方法、试验条件及判定准则。本文件适用于各类功率半导体器件的湿热环境适应性评估和可靠性验证。
Title:Power Semiconductor Devices - Steady-State Humidity Test with High Voltage Bias
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:31.080
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拓展解读
在功率半导体器件的可靠性评估中,湿热高压偏置试验是一项重要的测试项目。这一试验依据TIA/WBS 009-2019标准进行,旨在模拟实际应用环境中的极端条件,以评估器件在湿热高压偏置状态下的性能稳定性和耐久性。
试验目的
该试验的主要目的是验证功率半导体器件在高湿度、高温以及高电压偏置同时作用下的长期工作能力。通过模拟这些恶劣条件,可以发现器件潜在的设计缺陷或制造工艺上的薄弱环节,从而提高产品的可靠性和使用寿命。
试验条件
根据TIA/WBS 009-2019标准,湿热高压偏置试验的具体条件包括但不限于以下几点:
- 温度范围:通常设定为40°C至85°C之间。
- 相对湿度:要求达到85%RH以上。
- 施加电压:需根据具体设备的工作电压来确定,一般为额定工作电压的1.2倍。
- 持续时间:至少需要连续运行1000小时。
测试方法
1. 将待测样品置于恒温恒湿箱内,设置好所需的温度和湿度参数。
2. 对样品施加规定的电压,并保持恒定不变。
3. 定期检查样品的状态,记录任何异常现象如漏电流增加、绝缘电阻下降等。
4. 在整个测试周期结束后,对样品进行全面检测,包括外观检查、电气特性测量等。
注意事项
执行此类试验时需要注意安全操作规程,确保实验室具备良好的通风设施及防护措施。此外,在选择测试设备时应考虑其精度与稳定性,以保证数据准确无误。
总之,遵循TIA/WBS 009-2019标准开展湿热高压偏置试验对于保障功率半导体器件的质量至关重要。它不仅有助于制造商改进产品设计,还能增强消费者对其产品的信任度。