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摘要:本文件规定了声表面波器件用单晶晶片的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于声表面波器件制造中使用的单晶晶片。
Title:Surface Acoustic Wave Devices - Single Crystal Wafers
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:31.140
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拓展解读
声表面波器件用单晶晶片技术要求解析
TZZB 0497-2018标准对声表面波器件用单晶晶片提出了严格的技术规范,确保了产品的高性能和可靠性。该标准主要涵盖了晶体材料的物理化学性能、加工工艺以及检测方法等方面。
在晶体材料方面,标准规定了晶片应采用优质单晶硅或铌酸锂等压电材料制成。晶片表面需保持高平整度和平滑性,粗糙度不得超过0.5纳米。同时要求晶片具有良好的导电性和热稳定性,在高频条件下表现出稳定的电学特性。
对于晶片的几何尺寸,标准设定了精确的公差范围。直径偏差不大于±0.05毫米,厚度公差控制在±5微米以内。晶片的平行度和垂直度也做出了明确规定,以确保组装后的器件能够正常工作。
在制造工艺上,标准强调了晶片的切割、研磨、抛光等关键步骤。要求采用先进的线切割技术进行精准切割,并通过机械和化学方法相结合的方式完成表面处理。抛光过程需使用多级抛光液,确保达到镜面效果。
此外,标准还对晶片的清洁度和包装提出了具体要求。晶片在生产过程中必须经过严格的清洗程序,去除表面污染物。成品需采用防静电包装材料封装,防止运输和存储过程中的损伤。
检测方面,标准规定了多种测试方法来验证晶片的各项性能指标。包括但不限于X射线衍射分析、原子力显微镜扫描、电容-电压特性测量等。这些检测手段可以全面评估晶片的质量状况。
总之,TZZB 0497-2018标准为声表面波器件用单晶晶片的生产和应用提供了科学依据,有助于提高相关产品的整体水平。遵循这一标准将有效提升声表面波器件的性能表现,满足现代电子技术的需求。