TSTIC 110096-2024 半导体用多级罗茨干式真空泵

在解读TSTIC 110096-2024《半导体用多级罗茨干式真空泵》时，我们可以重点关注“极限真空度”这一关键指标的变化。相较于旧版标准，新版对极限真空度的要求更为严格，这直接关系到设备在半导体制造中的性能表现。

例如，在旧版标准中，对于极限真空度的规定为：在标准条件下，极限真空度应小于或等于5×10^-3 Pa。而在新版标准中，这一数值被调整至3×10^-3 Pa。这样的变化反映了半导体行业对更高洁净度和更稳定工艺环境的需求。

那么，如何确保设备达到并维持这个新的极限真空度标准呢？首先，制造商需要优化泵的设计结构，比如采用更高效的转子形状和表面处理技术，以减少内部泄漏和摩擦产生的气体释放。其次，在生产过程中要严格控制材料质量，特别是与气体接触的部分，应选用低挥发性、高纯度的材料。此外，定期维护也非常重要，包括清洁泵腔、检查密封件状态以及校准测量仪器等措施，都能有效保证设备持续满足极限真空度的要求。

通过这些具体的操作方法，不仅能够符合TSTIC 110096-2024的新要求，还能够提升整个半导体生产线的工作效率和产品质量稳定性。