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摘要:本文件规定了用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻的测试方法,包括测试条件、设备要求、测量步骤和结果计算。本文件适用于氮化镓基高电子迁移率晶体管在功率电子应用中的性能评估。
Title:Test Method for Dynamic On-state Resistance of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors (HEMT) Used for Third Quadrant Continuation Current
中国标准分类号:M63
国际标准分类号:31.140
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拓展解读
本文以《TCAS AS 035-2024》中关于氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法的新老版本差异为切入点,重点解读“测试电路设计”这一核心要素的变化及其在实际应用中的操作要点。
在旧版标准中,测试电路主要依赖于示波器和固定阻值的采样电阻来测量电压波形。然而,《TCAS AS 035-2024》引入了更为精确的方案:推荐使用具有高速数据采集功能的数据记录仪替代传统示波器,并且要求采样电阻改为可调式精密电阻网络。这种调整旨在提高对动态导通电阻测量精度的要求。
具体来说,在新版标准下,当进行动态导通电阻测试时,首先需要确保数据记录仪与待测器件之间连接正确无误,同时将采样电阻设置为标称值。然后启动测试程序,通过控制信号使HEMT进入工作状态,并观察输出端电压变化情况。在此过程中,需特别注意调整采样电阻至最佳位置以保证测量准确性。
此外,《TCAS AS 035-2024》还增加了对环境条件的规定,比如温度范围应控制在-40°C至+125°C之间,湿度不得超过60%等。这些新增内容对于保障测试结果可靠性和重复性至关重要。
综上所述,《TCAS AS 035-2024》通过对测试电路设计及环境条件等方面做出改进,使得氮化镓HEMT动态导通电阻测试更加科学合理。这不仅提升了测量精度,也为后续产品开发提供了坚实的技术支持。