资源简介
摘要:本文件规定了高精度超洁净晶圆电化学电镀腔体网格盘的生产制造要求、技术指标、检测方法及质量控制规范。本文件适用于半导体制造领域中涉及晶圆电化学电镀工艺的设备零部件生产与验收。
Title:High-Precision Ultra-Clean Wafer Electrochemical Plating Chamber Grid Plate Manufacturing Specification
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:25.160
封面预览
拓展解读
本文将聚焦于TQGCML 4573-2024与旧版标准在高精度超洁净晶圆电化学电镀腔体网格盘生产制造中的关键差异,并以“表面粗糙度控制”这一重要条文为例进行深入解读。
在新版标准中,对表面粗糙度的要求从原来的Ra≤0.8μm提升至Ra≤0.4μm。这一变化源于半导体制造技术的进步,更高精度的晶圆加工需要更精细的腔体网格盘表面质量来确保电镀均匀性和稳定性。
具体应用时,企业需采取以下措施:首先,在材料选择上,优先选用低杂质含量、高纯度的不锈钢或镍合金,这些材料具有更好的加工性能和表面稳定性。其次,在加工工艺上,采用电解抛光代替传统的机械抛光,可以有效降低表面粗糙度并减少微小颗粒附着。此外,还需引入在线检测设备,实时监控加工过程中的表面状态,确保最终产品符合Ra≤0.4μm的标准要求。
通过严格执行上述改进措施,不仅能够满足新版标准对高精度超洁净晶圆电化学电镀腔体网格盘的严格要求,还能进一步提高产品的可靠性和使用寿命,为半导体行业提供更加优质的配套设备。