• 首页
  • 查标准
  • 下载
  • 专题
  • 标签
  • 首页
  • 论文
  • 制造
  • a-Ge的亲水性及其在Si-Si键合中的应用

    a-Ge的亲水性及其在Si-Si键合中的应用
    a-Ge亲水性Si-Si键合半导体材料界面特性
    9 浏览2025-07-19 更新pdf0.41MB 共2页未评分
    加入收藏
    立即下载
  • 资源简介

  • 封面预览

    a-Ge的亲水性及其在Si-Si键合中的应用
  • 下载说明

    预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象,仅为图片呈现问题,不影响文档的下载及阅读体验。

    当文档总页数显著少于常规篇幅时,建议审慎下载。

    资源简介仅为单方陈述,其信息维度可能存在局限,供参考时需结合实际情况综合研判。

    如遇下载中断、文件损坏或链接失效,可提交错误报告,客服将予以及时处理。

  • 相关资源
    下一篇 9F级燃机油动机固定螺栓失效分析

    DLTS分析吸杂H化后多晶硅缺陷变化

    GaSbBi薄膜的分子束外延生长

    GeSnGe双纳米线异质结构

    InGaAsBi的分子束外延生长与碳掺杂研究

    MBE外延生长Ge量子点及其在发光器件中的应用

    MBE材料组分均匀性的表征方法

    MBE生长的Bi2Te3拓扑绝缘体光电导探测器

    SiC技术在智慧灯杆中的应用研究

    不同缓冲层类型InP基In0.83Ga0.17As探测器的暗电流研究

    分子束外延InAsGaSb超晶格材料

    半导体紫外LED及应用

    带间级联探测器能带结构设计与优化

    爆炸焊热轧TA1X65复合板界面特性研究

    磁控溅射法制备Cu2ZnSn(SSe)4(铜锌锡硫硒)薄膜太阳电池及其耗尽区宽度

    表面润湿性对空化流动实验研究

    光伏自洁净玻璃研究

    光暗电导真空自动测试系统的研发

    关于表面电镀锌之胶接件亲水性之问题探讨

    固态照明前沿技术micro-LED

    基于InAsGaSbInSbGaSb超晶格的甚长波红外探测器截止波长拓展研究

资源简介
封面预览
下载说明
相关资源
  • 帮助中心
  • 网站地图
  • 联系我们
2024-2025 WenDangJia.com 浙ICP备2024137650号-1