现行 SJ/T 11398-2009
功率半导体发光二极管芯片技术规范 功率半导体发光二极管芯片技术规范 Technical specification for power light-emitting diode chips
发布日期:2009-11-17
实施日期:2010-01-01
分类信息
研制信息

归口单位: 中国电子技术标准化研究所

起草单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所、 厦门三安电子有限公司

起草人: 崔波、 张万生

标准简介

主要规定了功率半导体发光二极管芯片材料、尺寸、键合区、标志、外观质量、绝对最大额定值和光电特性、质量保证规定、交货准备、目检、静电放电敏感度测试和分级方法等

相似标准/计划/法规
GB/T 36356-2018
功率半导体发光二极管芯片技术规范
Technical specification for power light-emitting diode chips
2018-06-07
SJ/T 11486-2015
小功率LED芯片技术规范
Technical specification for low power light - emitting diode chips
2015-04-30
GB/T 36357-2018
中功率半导体发光二极管芯片技术规范
Technical specification for middle power light-emitting diode chips
2018-06-07
SJ/T 11734-2019
芯片级封装(CSP)LED空白详细规范
Blank detail specification for chip scale package (CSp) light-emitting diodes
2019-11-11
GB/T 42243-2022
有机发光二极管(OLED)电视机通用技术规范
General technical specification for organic light emitting diode(OLED) television
2022-12-30
SJ/T 11393-2009
半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes
2009-11-17
GB/T 36358-2018
半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes
2018-06-07
SJ/T 11400-2009
半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes
2009-11-17
GB/T 36359-2018
半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for lower power light-emitting diodes
2018-06-07
GB/T 36360-2018
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
2018-06-07
半导体功率芯片

最后更新时间 2025-08-31