Detail specifications for reverse blocking triode thyristors
反向阻断三极晶闸管详细规范
1971-03-15
KS C IEC 60747-6-1(2016 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
2006-12-11
KS C IEC 60747-6-1(2021 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
2006-12-11
GB/T 6352-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A
1998-11-17
KS C IEC 60747-6-3(2016 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
2006-12-11
KS C IEC 60747-6-3(2021 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
2006-12-11
GB/T 13151-2005
半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
2005-03-23
BS QC 750113-1994
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification: reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 空白详细规范:电流大于100 A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管
1994-03-15
BS QC 750110-1990
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 反向阻断三极晶闸管 环境和外壳额定 高达100 A