现行 SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H82冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料
ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料
研制信息

归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位： 信息产业专用材料质量监督检验中心、 工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司

起草人： 何友琴、 马农农、 何秀坤

标准简介

本标准规定了用二次离子质谱法（SIMS）对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法

相似标准/计划/法规
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
2009-10-30
衬底浓度离子质谱重掺硅

最后更新时间 2025-09-02