现行 SJ 21120-2016
高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化镓抛光片规范 高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化镓抛光片规范 Specification for semi-insulating gallium arsenide polished wafers for high electron mobility transistor
发布日期：2016-01-19
实施日期：2016-03-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H83冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料
ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料
标准简介

本规范规定了高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化镓抛光片的全部要求。本规范适用于高电子迁移率晶体管用直径100mm半绝缘砷化镓抛光片(以下简称砷化镓抛光片)

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最后更新时间 2025-09-02