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行业标准
SJ 21121-2016 PVTCdSN1/T-BP01型硫化镉单晶抛光片规范
现行
SJ 21121-2016
PVTCdSN1/T-BP01型硫化镉单晶抛光片规范
PVTCdSN1/T-BP01型硫化镉单晶抛光片规范
Specification for polished mono-crystalline cadmium sulphur wafers of PVTCdSN1/T-BP01
发布日期:
2016-01-19
实施日期:
2016-03-01
分类信息
发布单位或类别:
中国 行业标准-电子
CCS分类:
H83冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料
ICS分类:
29.045电气工程 - 半导体材料
标准简介
本规范规定了PVTCdSN1/T-BPO1型硫化镉单晶抛光片(以下简称硫化镉晶片)的全部要求。本规范适用于物理气相输运法(简称PVT法)制备的硫化镉晶片
相似标准/计划/法规
SJ 21122-2016
PVTSiC76SI1-BP01型碳化硅单晶抛光片规范
Specification for polished mono-crystalline silicon carbide wafers of PVTSiC76SI1-BP01
2016-01-19
硫化
抛光
单晶
最后更新时间 2025-09-02
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