现行 SJ 21170-2016
MEMS惯性器件介质薄膜生长工艺技术要求 MEMS惯性器件介质薄膜生长工艺技术要求
发布日期：
实施日期：2017-03-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L15电子元器件与信息技术 - 电子元件 - 敏感元器件及传感器
ICS分类： 31.070电子学 - 敏感元件和传感器
标准简介

本标准规定了MEMS惯性器件制造过程中介质薄膜生长的工艺流程、工艺要求和检验要求。本标准适用于圆片上热氧化二氧化硅（SiO2 ） 、等离子体增强化学气相淀积（PECVD）SiO2、PECVD氮化硅（SiNx）、低压化学气相淀积(LPCVD) SiO2、 LPCVD SiNx、LPCVD SiNx等介质薄膜生长工艺

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最后更新时间 2025-09-02