归口单位： 全国有色金属标准化技术委员会
起草单位： 有研半导体材料有限公司、 瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、 上海合晶硅材料有限公司、 浙江金瑞泓科技股份有限公司、 南京国盛电子有限公司、 天津市环欧半导体材料技术有限公司
起草人： 卢立延、 孙燕、 潘紫龙、 黄黎、 徐红骞、 徐新华、 张海英、 骆红、 张雪囡
本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法，包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。本标准适用于非本征半导体材料，如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试，测试样品（外延层）的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定，但已对电阻率0.1Ω·cm～50Ω·cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量。本标准也可用于测试其他半导体材料，如砷化
最后更新时间 2025-09-02