现行 SJ 21352-2018
掺铈无机氧化物闪烁晶体生长工艺技术要求 掺铈无机氧化物闪烁晶体生长工艺技术要求 Process technological requirements for the cerium doped inorganic oxide scintillation crystal growths
发布日期：2018-01-18
实施日期：2018-05-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H83冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料
ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料
研制信息

归口单位： 工业和信息化部电子第四研究院

起草单位： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

起草人： 岑伟、 王佳、 石自彬、 欧阳廷、 邹永义、 付昌禄、 张俊、 龙勇

标准简介

本标准规定了掺铈硅酸钇镥（Ce:LYSO )、掺铈硅酸镥(Ce:LSO )、掺铈硅酸钇(Ce:YSO )、掺铈铝酸钇镥（Ce:LuYAP)和掺铈钆镓铝石榴石(Ce:GAGG)等掺铈无机氧化物闪烁晶体原生晶棒生长工艺技术要求，包括装炉、升温熔料、引晶、生长、拉断、降温和出炉等过程的工艺技术要求。本标准适用于Ce:LYSO、Ce:LSO、Ce:YSO、Ce:LUYAP和Ce:GAGG等掺铈无机氧化物闪烁晶体原生晶棒生长

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最后更新时间 2025-09-02