现行 SJ 21441-2018
SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范 SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范 Specification for high purity semi-insulating silicon carbide monocrystalline wafers of SiC-HPSI
发布日期：2018-01-18
实施日期：2018-05-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H82冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料
ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料
研制信息

归口单位： 工业和信息化部电子第四研究院

起草单位： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人： 窦瑛、 齐海涛、 杨丹丹、 高飞、 洪颖、 孟大磊、 张政、 张皓、 郑风振、 牛栋华

标准简介

本规范规定了SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片的技术要求、质量保证规定、交货准备等。本规范适用于SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片(以下简称碳化硅单晶片)

相似标准/计划/法规
碳化硅绝缘单晶HPSISiC

最后更新时间 2025-09-02