归口单位: 工业和信息化电子第四研究院
起草单位: 工业和信息化电子第四研究院、 西安电子科技大学、 中国航天集团公司第九研究院第七七一研究所、 中国电子科技集团公司第二十四研究所、 北京燕东微电子有限公司、 中国电子科技集团第五十八研究所、 勤智数码科技股份有限公司
起草人: 罗晓羽、 贾新章、 姚军、 王晨杰、 游海龙、 黄磊、 王志宽、 张彦秀、 顾祥、 尹航、 李锟、 廖昕、 赖庆华
本标准规定了用于确定热载流子效应导致器件特性参数退化失效时间的试验方法,从而评价器件在正常工作条件下因热载流子效应而失效的时间。本标准适用于MOSFET器件热载流子效应的测试
最后更新时间 2025-09-02