现行 SJ 21381-2018
时间相关介质击穿(TDDB)测试方法 时间相关介质击穿(TDDB)测试方法 Test method for time dependent dielectric breakdown ( TDDB)
发布日期：2018-01-18
实施日期：2018-05-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L56电子元器件与信息技术 - 微电路 - 半导体集成电路
ICS分类： 31.200电子学 - 集成电路、微电子学
研制信息

归口单位： 工业和信息化电子第四研究院

起草单位： 工业和信息化电子第四研究院、 西安电子科技大学、 中国航天集团公司第九研究院第七七一研究所、 北京燕东微电子有限公司、 中国电子科技集团公司第二十四研究所、 中国电子科技集团第五十八研究所、 勤智数码科技股份有限公司

起草人： 李锟、 贾新章、 王金莲、 王晨杰、 游海龙、 张彦秀、 黄磊、 王志宽、 顾祥、 罗晓羽、 尹航、 廖昕、 赖庆华

标准简介

本标准规定了确定氧化层时间相关介质击穿(TDDB)导致器件特性参数退化的失效时间试验方法，从而进一步评价器件在正常工作条件下因TDDB而失效的时间。本标准适用于CMOS集成电路TDDB特性的测试

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