归口单位： 工业和信息化电子第四研究院
起草单位： 工业和信息化电子第四研究院、 中国电子科技集团第五十八研究所、 中国航天集团公司第九研究院第七七一研究所、 北京燕东微电子有限公司、 中国电子科技集团公司第二十四研究所、 西安电子科技大学、 勤智数码科技股份有限公司
起草人： 罗晓羽、 顾祥、 王金莲、 王晨杰、 张彦秀、 黄磊、 王志宽、 贾新章、 游海龙、 尹航、 李锟、 廖昕、 赖庆华
本标准规定了在集成电路制造过程中，氧化层可动电荷采用电容-电压测试的方法。本标准适用于在集成电路制造过程中，通过金属-氧化物-半导体(MOS)电容器的电容-电压(以下简称CV)曲线来测试氧化层的可动电荷密度
最后更新时间 2025-09-02