现行 SJ 21625-2021
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料与异质结界面杂质分布的二次离子质谱测试方法 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料与异质结界面杂质分布的二次离子质谱测试方法
发布日期：
实施日期：2022-03-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H83冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料
ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料
标准简介

本标准规定了用二次离子质谱法测定ⅢI-V族半导体材料中杂质元素含量以及异质结界面杂质分布的方法。本标准适用于军用氮化镓、砷化镓、磷化铟等Ⅲ-V族半导体材料中杂质元素含量的测定以及杂质在异质结界面处分布的测定

相似标准/计划/法规
杂质结界离子分布测试

最后更新时间 2025-09-02