现行 SJ/T 11824-2022
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
发布日期：2022-10-20
实施日期：2023-01-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L42电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体三极管
ICS分类： 31.080.30半导体分立器件 - 三极管
研制信息

归口单位： 工业和信息化部

标准简介

本文件规定了金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效 电容和电压变化率这两个参数的测试方法

相似标准/计划/法规
T/CASAS 037-2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法
2024-11-19
T/CASAS 033-2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法
2024-11-19
T/CASAS 021-2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法
2024-11-19
T/CASAS 016-2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
2022-07-18
半导体晶体管氧化物电容电压

最后更新时间 2025-09-02