SJ/T 11818.2-2022
半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范
2022-10-20
SJ/T 11818.3-2022
半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范
2022-10-20
SJ/T 2658.1-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 1:General
2015-10-10
SJ/T 2658.5-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 5:Series connection resistance
2015-10-10
SJ/T 2658.2-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 2:Forward voltage
2015-10-10
SJ/T 2658.10-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 10:Modulation bandwidth
2015-10-10
SJ/T 2658.7-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 7:Radiant flux
2015-10-10
SJ/T 2658.15-2016
半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 15:Thermal resistance
2016-01-15
SJ/T 2658.4-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 4:Total capacitance
2015-10-10
SJ/T 2658.14-2016
半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 14:Junction temperature
2016-01-15
SJ/T 2658.11-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 11:Response time
2015-10-10
SJ/T 2658.6-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 6:Radiant power
2015-10-10
SJ/T 2658.8-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 8:Radiant intensity
2015-10-10
SJ/T 2658.16-2016
半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 16:Photo-electric conversion efficiency
2016-01-15
GB/T 39771.2-2021
半导体发光二极管光辐射安全 第2部分：测试方法
Optical radiation safety of LEDs—Part 2: Measurement methods
2021-03-09
GB/T 6588-2000
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes
2000-10-17
SJ/T 2658.12-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 12:Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth
2015-10-10
SJ/T 2658.13-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 13:Temperature coefficient for radiant power
2015-10-10
SJ/T 2658.3-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 3:Reverse voltage and reverse current
2015-10-10
IEC 60747-5-8-2019
Semiconductor devices - Part 5-8: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of optoelectronic efficiencies of light emitting diodes
半导体器件第5-8部分:光电子器件发光二极管发光二极管光电效率试验方法
2019-11-13