归口单位: 工业和信息化部
本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉的产品标记和主要参数、 技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。适用 于以高纯多晶硅做原料,采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长 的单晶硅炉
最后更新时间 2025-09-02