现行 SJ/T 11867-2022
硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范 硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范
发布日期：2022-10-20
实施日期：2023-01-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L53电子元器件与信息技术 - 光电子器件 - 半导体发光器件
ICS分类： 31.080电子学 - 半导体分立器件
研制信息

归口单位： 工业和信息化部

标准简介

本文件规定了硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片的技术要求、 检验方法、检验规则和标志、包装、运输和储存。适用于硅衬底蓝 光小功率发光二极管芯片

相似标准/计划/法规
SJ/T 11868-2022
硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范
2022-10-20
SJ/T 11869-2022
硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
2022-10-20
SJ/T 11866-2022
半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
2022-10-20
GB/T 36359-2018
半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for lower power light-emitting diodes
2018-06-07
SJ/T 11400-2009
半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes
2009-11-17
SJ/T 11393-2009
半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes
2009-11-17
GB/T 36358-2018
半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes
2018-06-07
GB/T 36360-2018
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
2018-06-07
衬底蓝光功率

最后更新时间 2025-09-02