SJ/T 11818.3-2022
半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范
2022-10-20
SJ/T 11818.1-2022
半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
2022-10-20
SJ/T 2658.2-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 2:Forward voltage
2015-10-10
SJ/T 2658.1-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 1:General
2015-10-10
SJ/T 2658.5-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 5:Series connection resistance
2015-10-10
SJ/T 2658.10-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 10:Modulation bandwidth
2015-10-10
SJ/T 2658.7-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 7:Radiant flux
2015-10-10
SJ/T 2658.15-2016
半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 15:Thermal resistance
2016-01-15
SJ/T 2658.4-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 4:Total capacitance
2015-10-10
SJ/T 2658.14-2016
半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 14:Junction temperature
2016-01-15
GB/T 6588-2000
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes
2000-10-17
KS C IEC 60747-2
반도체 소자 — 제2부：개별 소자 —정류 다이오드
半导体器件第2部分:分立器件整流二极管
2021-12-29
IEC 60747-2-2016
Semiconductor devices - Part 2: Discrete devices - Rectifier diodes
半导体器件 - 第2部分:分立器件 - 整流二极管
2016-04-13
GB/T 6589-2002
半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号（包括开关）和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管（不包括温度补偿精密基准二极管） 空白详细规范
Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
2002-12-04
SJ/T 2658.11-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 11:Response time
2015-10-10
SJ/T 2658.6-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 6:Radiant power
2015-10-10
SJ/T 2658.8-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 8:Radiant intensity
2015-10-10
SJ/T 2658.16-2016
半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 16:Photo-electric conversion efficiency
2016-01-15
KS C IEC 60747-3-2(2016 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제2절：온도 보상형 정밀 기준 다이오드를 제외한 정전압 다이오드 및 전압 기준 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第2节:调压二极管和电压基准二极管空白详细规范 不包括温度补偿精密基准二极管
2006-12-11
KS C IEC 60747-3-1(2016 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제1절：신호 다이오드, 스위칭 다이오드 및 제어 애벌란시 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第一节:信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管空白详细规范
2006-12-11