现行 YS/T 1600-2023
碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
发布日期：2023-04-21
实施日期：2023-11-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-有色金属
CCS分类： H17冶金 - 金属化学分析方法 - 半金属及半导体材料分析方法
ICS分类： 77.040.30金属材料试验 - 金属材料化学分析
研制信息

归口单位： 工业和信息化部

标准简介

本文件适用于碳化硅单晶中杂质元素含量的测定

相似标准/计划/法规
GB/T 41153-2021
碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
2021-12-31
辉光痕量碳化硅杂质放电

最后更新时间 2025-09-02