KS C IEC 60747-3
반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
2016-12-29
GB/T 6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管
Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes
1995-07-24
KS C IEC 60747-3(2021 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调节二极管
2016-12-29
GB/T 6588-2000
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes
2000-10-17
GB/T 6589-2002
半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号（包括开关）和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管（不包括温度补偿精密基准二极管） 空白详细规范
Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
2002-12-04
IEC 60747-3-2013
Semiconductor devices - Part 3: Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes
半导体器件第3部分:分立器件:开关稳压二极管
2013-07-09
KS C IEC 60747-3-1(2016 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제1절：신호 다이오드, 스위칭 다이오드 및 제어 애벌란시 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第一节:信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管空白详细规范
2006-12-11
KS C IEC 60747-3-2(2016 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제2절：온도 보상형 정밀 기준 다이오드를 제외한 정전압 다이오드 및 전압 기준 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第2节:调压二极管和电压基准二极管空白详细规范 不包括温度补偿精密基准二极管
2006-12-11
DIN IEC 60747-3
Semiconductor devices; discrete devices; part 3: signal diodes and regulator diodes; identical with IEC 60747-3:1985
半导体器件；分立器件；第3部分:信号二极管和调节二极管；与IEC 60747-3:1985相同
1992-04-01
KS C IEC 60747-4
반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管
2017-05-30
KS C IEC 60747-4
반도체 소자 — 개별 소자 — 제4부: 마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管
2022-12-08
IEC 60747-4-2007
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
半导体器件 - 分立器件 - 第4部分:微波二极管和晶体管
2007-08-23
IEC 60747-4-2007+AMD1-2017 CSV
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管
2017-01-30
DIN EN 60747-3-DRAFT
Draft Document - Semiconductor devices - Part 3: Signal (including switching diodes) and regulator diodes (IEC 47E/395/CD:2010)
文件草案.半导体器件.第3部分:信号（包括开关二极管）和调节二极管（IEC 47E/395/CD:2010）
2010-11-01
KS C IEC 60747-2(2016 Confirm)
반도체 소자－개별 소자 및 집적 회로－제2부：정류 다이오드
半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
2006-12-11
DIN IEC 60747-2
Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes (IEC 60747-2:2000)
半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
2001-02-01
GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—
Part 2: Rectifier diodes
2015-12-31
BS 10/30231573 DC
BS EN 60747-3. Semiconductor devices. Part 3. Signal (including switching diodes) and regulator diodes
英国标准EN 60747-3 半导体器件 第三部分 信号（包括开关二极管）和调节器二极管
2010-07-13
IEC 60747-4-2007/AMD1-2017
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管
2017-01-30
KS C IEC 60747-2-1(2021 Confirm)
반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范
2006-12-11