现行 SJ/T 11976-2025
绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶
发布日期：2025-05-09
实施日期：2025-08-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L90电子元器件与信息技术 - 电子设备与专用材料、零件、结构件 - 电子技术专用材料
ICS分类：
标准简介

本文件规定了IGBT用中子嬗变掺杂区熔硅单晶（以下简称NTD硅单晶）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。本文件适用于IGBT产品用NTD硅单晶

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最后更新时间 2025-09-02