起草单位: 机械电子工业部第四十六研究所
起草人: 张又立、 孙毅之、 谢重木
本标准适用于n型、P型砷化镓和磷化铟单晶及高阻衬底外延层,载流子浓度在1×lO^(12)~5×10^(15)cm^(-3)范围的半导体材料的补偿度的测试分析。原则上也适用于其他Ⅲ-V族化合物材料补偿度的测试分析
最后更新时间 2025-08-28