作废 SJ 966-1975
硅开关二极管反向击穿电压的测试方法 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法 Methods of measurement for reverse breakdown voltage of silicon switching diodes
发布日期：1975-07-26
实施日期：1976-06-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L41电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体二极管
ICS分类：
标准简介
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击穿电压开关测试方法

最后更新时间 2025-08-27