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半导体分立器件FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范半导体分立器件FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范 Detail specification for types FH646 PN silicon power Darlington transistor

发布日期：1993-05-11

实施日期：1993-07-01

分类信息

发布单位或类别：中国行业标准-电子

ICS分类：

研制信息

起草单位：电子工业部标准化研究所

起草人：蔡仁明、张滨

标准简介

本规范规定了FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)

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最后更新时间 2025-08-29