起草单位: 电子工业部第十一研究所
起草人: 李兆瑞、 范正风
本标准规定了红外探测器用碲锡铅单晶片的电学参数、结构参数和组分的测试方法。本标准适用于红外探测器用碲锡铅外延衬底用单晶片的性能检测和评定,也适用于碲化铅和碲锡铅外延膜位错腐蚀坑的检测
最后更新时间 2025-08-29