现行 SJ/T 10482-1994
半导体深能级的瞬态电容测试方法 半导体深能级的瞬态电容测试方法 Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
发布日期：1994-04-11
实施日期：1994-10-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： M00/09通信、广播 - 通信、广播综合
ICS分类： 31.080电子学 - 半导体分立器件
研制信息

起草单位： 电子工业部第四十六研究所

起草人： 刘春香、 张若愚、 段曙光

标准简介

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。 本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级

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半导体能级电容测试方法

最后更新时间 2025-08-29