现行 SJ 50033/102-1995
GD218型InGaAs/InP PIN光电二极管详细规范 GD218型InGaAs/InP PIN光电二极管详细规范 Detail specification for InGaAs/InP photodiode for type GD 218
发布日期:1996-06-14
实施日期:1996-10-01
分类信息
研制信息

归口单位: 中国电子技术标准化研究所

起草单位: 电子工业部第四十四研究所

起草人: 王雨苏、 黄燕丹

标准简介

本规范规定了军用GD 218型InGaAs/lnP PIN光电二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购

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最后更新时间 2025-08-29