作废 SJ/T 10627-1995
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法 Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
发布日期：1995-04-22
实施日期：1995-10-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H82冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料
ICS分类： 77.040冶金 - 金属材料试验
标准简介
相似标准/计划/法规
硅片表征间隙沉淀测量

最后更新时间 2025-08-29