现行 SJ 20635-1997
半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 Test method for residual impurities concentration in microzone of semi-insulating gallium arsenide
发布日期：1997-06-17
实施日期：1997-10-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H83冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料
ICS分类：
研制信息

起草单位： 电子工业部第四十六研究所

起草人： 李光平、 女琼娜、 刘容、 段曙光、 李静、 何秀坤

标准简介

本标准规定了厚度为0.4～2.0mm的半绝缘砷化镓晶片中碳、EL2、铬和硅浓度的微区测量方法。 本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中主要剩余杂质碳、EL2、铬和硅浓度的测定

相似标准/计划/法规
杂质浓度绝缘试验方法剩余

最后更新时间 2025-08-29