现行 SJ 20636-1997
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法 Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC
发布日期：1997-06-17
实施日期：1997-10-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H81冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属
ICS分类：
研制信息

起草单位： 电子工业部第四十六研究所

起草人： 李光平、 汝琼娜、 李静、 段曙光、 何秀坤

标准简介

本标准规定了厚度为0.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at．cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度；对于替位碳含量为5.0×10^(15)at．cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度

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硅片直径含量试验方法IC

最后更新时间 2025-08-29