起草单位: 电子工业部第四十六研究所
起草人: 何秀坤、 汝琼娜、 李光平、 李静
本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器设备、样品制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。 本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法
最后更新时间 2025-08-30