现行 SJ 20858-2002
碳化硅单晶材料电学参数测试方法 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material
发布日期：
实施日期：2003-05-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H82冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料
ICS分类：
标准简介

木规范规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本规范适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SiC等低阻碳化碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量

相似标准/计划/法规
GOST 23595-1979
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最后更新时间 2025-08-30