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行业标准
SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
作废
SJ 2215.5-1982
半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
Method of measurement for reverse breakdown voltage of semiconductor photocouplers (diodes)
发布日期:
1982-11-30
实施日期:
1983-07-01
分类信息
发布单位或类别:
中国 行业标准-电子
CCS分类:
L54电子元器件与信息技术 - 光电子器件 - 半导体光敏器件
ICS分类:
标准简介
本标准适用于光耦合器的二极管反向击穿电压V(BR)的测试
相似标准/计划/法规
GOST 18986.24-1983
Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения
半导体二极管 击穿电压测量方法
SJ/T 2658.3-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 3:Reverse voltage and reverse current
2015-10-10
半导体
耦合器
击穿
电压
测试
最后更新时间 2025-08-27
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