作废 SJ 2215.7-1982
半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法 Method of measurement for collector-emitter reverse breakdown voltage of semiconductor photocouplers (diodes)
发布日期：1982-11-30
实施日期：1983-07-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L54电子元器件与信息技术 - 光电子器件 - 半导体光敏器件
ICS分类：
标准简介

本标准适用于光耦合器集电极—发射极反向击穿电压V(BR)(CEO)的测试

相似标准/计划/法规
GOST 18604.27-1986
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
电源高压双极晶体管 发射极（集电极）截止电流下的集电极（发射极 - 基极）击穿电压测量
GOST 18604.5-1974
Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера
晶体管测量集电极 - 发射极反向电流的方法
GOST 18604.22-1978
Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
晶体管双极 测量集电极 - 发射极和基极 - 发射极饱和电压的方法
半导体发射极耦合器击穿电压

最后更新时间 2025-08-27