现行 SJ 50033/173-2007
半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 Semiconductro discrete devices Detail specification for type 3DA520 silicon microwave pulse power transistor
发布日期：2008-01-24
实施日期：2008-02-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： L42电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体三极管
ICS分类： 31.080电子学 - 半导体分立器件
研制信息

起草单位： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

起草人： 陶有迁

标准简介

本规范规定了3DA520型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示

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最后更新时间 2025-08-31