现行 QJ 10005-2008
宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南 Test guidelines of single event effects induced by heavy ions of semiconductor devices for space applications
发布日期:2008-02-16
实施日期:2008-06-01
分类信息
研制信息

起草单位: 中国航天科技集团公司第五研究院物资部、 中国航天标准化研究所

起草人: 于庆奎、 唐民、 朱恒静、 孟猛、 管长才、 蔡娜、 周倜、 王敬贤

标准简介

本指导性技术文件给出了宇航用半导体器件(以下简称器件)重离子辐照引起的单粒子效应的试验指南,包括试验要求、试验方法和试验程序。本指导性技术文件适用的单粒子效应包括单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子扰动等。不包括功率MOS器件的单粒子烧毁。本指导性技术文件中的半导体器件包括半导体集成电路和半导体分立器件

相似标准/计划/法规
JEDEC JESD57
TEST PROCEDURE FOR THE MANAGEMENT OF SINGLE-EVENT EFFECTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES FROM HEAVY ION IRRADIATION
重离子辐照半导体器件中单粒子效应管理的试验程序
1996-12-01
宇航粒子离子效应试验

最后更新时间 2025-08-31