现行 QJ 10007/5-2008
宇航用半导体分立器件 3CG110、3CG130型硅高频小功率晶体管详细规范 宇航用半导体分立器件 3CG110、3CG130型硅高频小功率晶体管详细规范 Detail specification for discrete semiconductor 3CG110\\3CG130type silicon high frequency low power transistor of space applications
发布日期：2008-02-16
实施日期：2008-06-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-航天
CCS分类： V25航空、航天 - 航空器与航天器零部件 - 电子元器件
ICS分类： 49.035航空器和航天器工程 - 航空航天制造用零部件
研制信息

起草单位： 中国航天科技集团公司第一研究院、 中国航天标准化研究所

起草人： 张晖、 管长才、 王敬贤、 周倜、 蔡娜

标准简介
相似标准/计划/法规
SJ/T 1472-2016
半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG110 high frequency low power PNP silicon transistor
2016-04-05
SJ 20014-1992
半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for PNP silicon low-power transistor for types 3CG110 GP、GT and types GCT classes
1992-02-01
半导体晶体管分立宇航功率

最后更新时间 2025-08-31