归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位: 上海合晶硅材料有限公司、 有研半导体材料股份有限公司
起草人: 徐新华、 王珍、 孙燕、 曹孜
本标准规定了直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试、本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法,适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试,且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响、
最后更新时间 2025-09-06