被代替 GB/T 24578-2015
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
发布日期：2015-12-10
实施日期：2017-01-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 国家标准
CCS分类： H17冶金 - 金属化学分析方法 - 半金属及半导体材料分析方法
ICS分类： 77.040冶金 - 金属材料试验
研制信息

归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

起草单位： 有研新材料股份有限公司、 万向硅峰电子股份有限公司、 浙江省硅材料质量检验中心

起草人： 孙燕、 李俊峰、 楼春兰、 潘紫龙、 朱兴萍

标准简介

本标准规定了使用全反射X光荧光光谱，定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)，尤其适用于硅片清洗后自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围为10^9 atoms/cm^2~10^15 atoms/cm^2。本标准同样适用于其他半导体材料，如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。对良好的镜面抛光表面，可探测深度约5nm，分析深度随表面粗糙度的改善而增大。本方法可检测元素周期表中原子序数16(S）~92(U)的元素，尤其适用于测定以下元素:钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钻、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅

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最后更新时间 2025-09-06