现行 GB/T 32495-2016
表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
发布日期:2016-02-24
实施日期:2017-01-01
分类信息
研制信息

归口单位: 全国表面化学分析标准化技术委员会

起草单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人: 马农农、 陈潇、 何友琴、 王东雪

标准简介

本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法,以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从15×1016 atoms/cm3~2.5 × 1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品,坑深在50 nm及以上

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